Des chercheurs de l’Institut de Technologie de Tokyo ont développé un copolymère bloc révolutionnaire qui pourrait repousser les limites de l’intégration et de la miniaturisation dans la fabrication de semi-conducteurs. Ce nouveau composé, chimiquement conçu pour une auto-assemblage dirigé fiable, peut s’organiser en structures lamellaires perpendiculaires avec une demi-largeur de moins de 10 nanomètres, surpassant les copolymères blocs conventionnels largement utilisés.
Publiée dans la revue Nature Communications, cette avancée représente une étape significative dans la réduction de la taille des motifs de circuits sur les puces semi-conductrices, un composant crucial de tous les appareils électroniques. Le copolymère, une modification du polystyrène-bloc-polyméthacrylate de méthyle (PS-b-PMMA), a été adapté par l’introduction de méthacrylate de glycidyle (PGMA) et la modification ultérieure des segments PGMA avec différents thiols pour affiner les interactions répulsives entre les blocs du polymère.
Cette innovation ouvre la voie à la création de dispositifs semi-conducteurs avancés grâce à sa capacité à former des motifs extrêmement fins requis pour la prochaine génération d’électronique. Les chercheurs anticipent que cette technologie pourrait jouer un rôle crucial dans l’avancement des technologies de pointe dans la fabrication de semi-conducteurs, potentiellement réduisant la dépendance aux processus lithographiques traditionnels et coûteux.